Etude des propriétés électroniques des phases cristallisées du système As₂Te₃-GeTe

Electronic properties of the crystalline phases of the As₂Te₃-GeTe system

Résumé

Les propriétés électroniques des phases cristallisées du système As₂Te₃-GeTe ont été étudiées en associant plusieurs méthodes expérimentales : spectrométrie Mössbauer, spectroscopie de photo-électrons X (XPS), spectroscopie d’absorption X (XAS), et les résultats ont été interprétés par un calcul basé sur la méthode des liaisons fortes (LF) en considérant la structure expérimentale des matériaux. Nous avons mis en évidence les relations entre la structure électronique locale du tellure et son environnement par spectrométrie Mӧssbauer et spectroscopie d’absorption X. Les résultats expérimentaux ont été corrélés et interprétés par l’existence de deux environnements différents pour le tellure : pyramidal et octaédrique. Il est ainsi possible de distinguer les atomes de tellure inter-couches et intra-couches. Ensuite, nous avons reconstruit la structure électronique de As₂Te₃ à partir des données expérimentales XPS et XAS par superposition des spectres avec les densités d’états calculées, et enfin nous avons pu établir et comprendre l’évolution de la bande de valence par comparaison des spectres XPS et des densités d’états obtenues par le calcul.