Etude de la recristallisation d’un monocristal de cuivre d’orientation (112)[ll1] déformé à température ambiante en compression plane imposée

Recrystallization of a channel die compressed copper single crystal with (112)[111] orientation

Résumé

Quelques étapes de la recristallisation de monocristaux de cuivre (112)[111] initialement déformés en compression plane imposée sont étudiées par l’intermédiaire de domaines partiellement recristallisés. Il apparaît que les bandes de cisaillement macroscopiques sont des sites préférentiels de germination. La technique de diffraction des électrons rétrodiffusés a permis de montrer que statistiquement les germes n’ont pas d’orientation cristallographique particulière alors que, lorsque la recristallisation est plus avancée, il existe une relation d’orientations (30-40° <111>) entre les grains recristallisés et le matériau déformé, ce qui montre que l’on est en présence du mécanisme de croissance orientée.